知名分析师：芯片市场最快Q4 没有软着陆；创芯微完成数千万元第一轮融资深创投等领投；全球半导体上市公司CEO薪酬榜

  3.【集微发布】全球半导体上市公司CEO薪酬榜：美国CEO平均薪酬是中国大陆的23.3倍

  - 目前全球GaN技术来源与主要GaN专利申请人均位于日本，中国大陆专利年申请量增长迅猛；

  - GaN专利储备以光电器件为主，新申请专利显示技术创新方向聚焦于衬底、GaN HMET器件和Micro LED；

  - 日本、美国具有先发优势，但是随着失效专利占比逐渐增加，行业后来者有望打破更多壁垒。

  在快充应用的推动下，氮化镓（GaN）市场自2020年开启了腾飞之势，在功率器件及射频市场迎来巨大的商机。此前集微咨询的GaN系列文章《集微咨询：千呼万唤始出来的苹果GaN快充，拉开下一个GaN爆点的序幕》、《集微咨询：GaN快充达到甜蜜点，中低压市场迎来更多杀手级应用》分别分析了GaN技术已走出泡沫化的低谷期来到稳步爬升的光明期，并将在中低压器件市场迎来更大市场活力。随着慢慢的变多厂商涌入，GaN领域的竞争逐渐白热化，本篇将从专利的角度分析未来该领域的种子选手。

  目前全球GaN产业格局已经初步固定，形成了上游原材料（衬底、外延片）、中游GaN制造（GaN芯片设计、制造、封测）、下游GaN应用（电力电子器件、射频器件、光电子器件）的产业链条，在功率器件、射频器件、光电显示领域得到了广泛应用。Market and Market多个方面数据显示，2020年全球GaN器件的主要分类为GaN光电器件、GaN射频器件和GaN电力电子器件。从细分市场的角度来看， GaN光电器件的市场应用程度最高，占比达到65.22%；其次是GaN射频器件，市场占比约为29.89%；而GaN电力电子器件的市场规模则占比最小，仅为4.89%。

  从上世纪70年代出现首个专利申请起，目前全球在GaN产业已申请专利超过16万件，有效专利超过6万件，其中发明专利、技术创新活动十分频繁。根据智慧芽检索GaN专利数据，1994年之前GaN技术均处于学术研究和探索阶段，参与企业较少；1994年至2005年间进入第一波发展小高峰，但主要是应用于LED照明；2010年至2014年期间的GaN专利增长，大多分布在在住友、日立等日本企业在衬底方面取得的突破和进一步的产品化；2014年后GaN专利申请数量稳定增长，年专利申请量基本维持在9000件以上，LED/MicroLED光电器件、GaN基FET器件、GaN功率/射频器件等有关技术成为专利申请的热点领域。

  第一，从GaN技术来源分布来看，日本、美国在GaN领域的研究最早开始于1970年代，占据了大部分的GaN相关专利储备。

  当前全球GaN技术第一大来源国为日本，比例高达35.5%，其次为美国，比例为22.95%，中国大陆以14.54%略高于韩国的14.2%而名列第三，这四个地区GaN专利占比合计超过87%。尽管日本和美国起步早了近20年，且在2010年之前日本显著领先，中国大陆从2010年开始后起发力并持续保持快速地增长，GaN专利申请数量逐渐处于领头羊且优势十分明显。

  美国专利布局虽比中国大陆早近20年，但近10年发展形态趋势较为平缓稳定；中国相关专利于1985年最先提出，但专利年申请量迅速增加并于2011年后开始超过美国。

  在中国地区，GaN专利申请数量最多的省份为江苏，累计申请数量达到1916项，广东和北京分别以1657项和1057项分列2、3名。GaN创新活动活跃的主要省份有江苏、广东、浙江、陕西和北京等地，都是半导体产业和第三代半导体产业高质量发展的重点区域。

  第二，从GaN专利申请主体来看，全球GaN主要创新主体的龙头大多分布在于日本专利申请人，来自中国大陆的申请人则在近几年异常活跃，表明GaN领域的研发投入持续不断的增加，相关企业和科研院所数量也在持续不断的增加。此外，在中国布局的海外申请人也以日本企业为主，包括三菱电机、住友和松下等。

  2010年至2021年9月，全球GaN专利申请人CR10呈现波动趋势，2010年至2020年基本保持在13%以上，2021年上升至17.18%。总的来看，全球GaN专利申请人集中度不高(注：CR10为申请总量排名前10位的申请人的专利申请量占该领域专利申请总量的比例。其中，有联合申请时，专利数量不会被去重计算) 。其中全球重点专利申请人集中在日本企业，这与GaN技术来源国为日本呈现一致，中国企业与海外龙头的GaN技术储备量有较大差距。

  截止2021年9月，全球GaN专利申请数量TOP10申请人（未剔除联合申请数量）仍以日本企业为主，但是来自中国大陆申请人异军突起，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、三安光电、华灿光电等机构和企业申请人最为活跃。2021年，全球GaN专利新申请者（过去5年内才开始提交专利申请的申请人）有5名，全部来自中国大陆，分别是深圳第三代半导体研究院、西安智盛锐芯半导体科技有限公司、广东工业大学、中山市华南理工大学现代产业技术研究院和天津大学，其中深圳第三代半导体研究院申请的GaN专利数量最多。

  第三，从GaN专利技术分布来看，在申请数量TOP10的申请人中分类号为H01L33的专利储备量最多，即光电器件领域。其次大部分集中在电学领域，这还在于GaN是提升电力电子器件和射频器件性能的重要半导体材料，在电力电子、射频芯片等领域都有更重要的应用。

  此外，在全球市场价值最高TOP 10 GaN专利中，有7项专利价值都超过了1000万美元，其中LG伊诺特有限公司专利号为“EP2863444B1”的专利价值最高，为1146万美元，该专利提出了一种使用金属支撑层在蓝宝石衬底上制造垂直结构GaN基LED器件的方法。

  从GaN专利申请热力图来看，近年来全球GaN技术创新主要聚焦于衬底、GaN HMET器件和Micro LED三大领域。

  第一，衬底技术是GaN器件减少相关成本的关键突破口之一，正从小批量、小尺寸向大规模商业化、大尺寸、高晶体质量方向发展。

  目前全球GaN衬底相关专利超过13000件，其中有效专利超过4800件。衬底技术排名靠前的专利申请人以日本企业居多在衬底领域技术储备占有非常大的优势，其次为美国。主要专利申请人包括住友株式会社、三菱化学株式会社、日本碍子株式会社、CREE等。

  从创新方向来看，专利分布显示GaN单晶生长技术探讨研究较多，热门的生长技术为HVPE法，也是较成熟的单晶生长技术。助溶剂法和氨热法研究晚于HVPE法，近10年也在持续关注。衬底加工方面，研磨抛光、切割和倒角、衬底剥离是近几年的研究热点。

  另一方面，GaN异质外延已经实现6英寸产业化，逐渐向8英寸演进，研究方向也逐渐向大尺寸和高质量方向聚焦。例如2020年，清华大学提出使用抛光组合物抛光GaN材料，该组合物包含纯化硅溶胶抛光磨粒、腐蚀剂、氧化剂、促进剂和水，抛光磨粒为纯化硅溶胶（专利号CN106398544A）；苏州纳米仿真所/苏州纳维科技提出用助溶剂法促进籽晶液相外延，在生长过程中添加碳添加剂，大大降低氮化镓籽晶生长前期的籽晶回溶（专利号CN107687022A）等。

  第二，车规级GaN电力电子器件随着电动汽车市场规模增长而成为研究热点，正朝着多单元模块化方向发展。

  在电动汽车领域，EPC和Transphorm已有GaN电力电子器件已经通过了车规认证，汽车行业越来越认可和重视GaN电力电子器件解决方案应用于电动汽车及混合动力汽车。

  目前全球GaN电力电子器件相关专利超过2万件，有效专利占45.61%，美国、日本和中国为专利布局热点区域，尤以美国市场为甚。主要专利申请人仍以住友、富士通、东芝等日本企业为主，CREE、英特尔也具备一定优势。

  从创新方向看，GaN电力电子器件经过了衬底材料的选择及多种新型器件结构探索(2DEG结构的改进、垂直型/异质结鳍片结构等)等阶段，目前研究热点聚焦于多单元器件组合形成多单元模块。例如2021年CREE提出一种大的有效栅极宽度的多单元晶体管器件（专利号US10483352B1）；三安光电提出一种具有多量子阱高阻缓冲层的HEMT外延结构（专利号CN108400159A）等。

  第三，Micro LED由于其自发光，低功耗，高亮度，超高分辨率，小尺寸，高色彩饱和度等方面的优势，成为LED未来发展趋势。从全球Micro/Mini LED全球专利申请情况去看，目前该领域相关专利总量超过2500件，有效专利超过900件，其中中国是这一领域的研究主导者，专利申请数量占比达到40.78%，全球领先。主要的专利申请人包括Facebook（Meta）、苹果、歌尔股份、京东方、三安光电等。

  目前，Micro LED的创新主要聚焦在巨量转移技术的突破上。例如2019年，苹果提出利用光束寻址释放(BAR) 巨量转移技术，一次转移多个Micro LED（专利号USA1）；2020年，三星提出在目标基板和激光振荡器之间布置转移基板，转移基板上布置有一行/一列不一样的颜色的Micro LED器件，向目标基板辐射激光束以完成Micro LED的巨量转移（专利号USA1）等。

  住友株式会社在GaN领域的专利储备可以说具有非常大的优势。1970年代开始申请GaN相关专利，2003年该公司在全球率先量产GaN衬底，2006年再次率先量产高性能GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），目前是全球GaN射频器件的主要供应商，强大的专利布局在某些特定的程度上支撑了其后来的商业成功。

  住友GaN技术储备从专利分布来看，主要聚焦在衬底和器件研究，可见光LED、GaN基FET器件、激光二极管、GaN单晶生长技术专利布局较多，近5年更侧重GaN基FET器件。在GaN基FET器件领域，住友探索的技术方向较多，布局热点包括外延工艺、芯片工艺、改善击穿电压、减小漏电流、抑制电流崩塌、改善2DEG结构等，较缺乏的是改善结构缺陷、改善导通特性等方面的专利。

  CREE是美国早期发力GaN和SiC技术的主要企业之一。1998年，该公司推出首个SiC基GaN HEMT，2019年和2021年，CREE完成照明和LED业务的出售，完全蜕变成一家以宽禁带半导体产品为主的公司。2021年更名为Wolfspeed并于纳斯达克上市。

  CREE聚焦于GaN-on-SiC技术路线年开始申请GaN-LED相关专利，1998推出SiC基GaN-HEMT器件后专利申请迎来第一次迅速增加，2008年推出首个GaN射频器件，迎来第二次迅速增加。该公司在GaN领域的专利超过3000件，有效专利占比接近52%。

  随着CREE剥离LED业务后，其GaN研究重点同样转向GaN基FET器件，目前在该领域专利总量达到696件，有效专利430件，布局重点为减小漏电流、增大击穿电压、改善线性度、提高GaN层晶体质量、减少半导体刻蚀损伤、降低表面捕获效应等，较缺乏的是提高增益、延长常规使用的寿命等方面的专利。

  英飞凌是全球领先的功率半导体企业，1997年左右开始申请GaN激光二极管、GaN层生长技术相关专利，2014年通过收购IR取得其Si基GaN功率半导体制造技术，专利数量迅速增加，且授权率较高。目前GaN领域专利超过1400件，有效专利占比高达61.5%，技术创新度高。

  英飞凌在GaN领域集中在中游-器件模组的研究，包括GaN基FET器件以及由多个功率元器件集成的功率模块(如电源转换器)的研发，在功率模块、GaN基FET器件上布局的专利最多。布局重点包括改善散热、降低功率损耗、提升工作电压、减小封装尺寸、降低集成器件产生的寄生电感和电容、改进双向开关特性等，较缺乏的是短路保护、过压保护、静电保护等方面的专利。

  中国LED龙头三安光电在GaN领域有一定技术储备。2014年，该公司投资建设GaN高功率半导体项目；2018年，在福建泉州斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频等产业。

  三安光电从2001年开始申请GaN-LED相关专利，在此前的专利来自索尼、夏普等转让，目前专利超过1200件，主要是LED技术。2004年至2010年器件的专利增长大多数来源于2013年全资收购的Luminus，2012年后专利申请量进一步迅速增加，主要受第三代半导体功率器件的推动。

  三安光电也集中于产业链中游——器件模组的研究。其布局的器件类型最重要的包含可见光LED、紫外LED、Micro/Mini LED和GaN基FET。2016年后，三安光电对可见光LED的专利申请量逐渐下降，并开始增加对Micro/Mini LED、GaN基FET的专利申请。

  集微咨询（JW insights）认为，随着GaN技术成熟度进入稳步提升的光明期，与GaN相关的专利申请活动越来越活跃。随着慢慢的变多的玩家进入赛场，GaN专利版图也在不断演变。在这一变局下，我国企业作为后来者要牢牢把握这一换道机遇，也有机会在新兴领域与全球企业处于同一个起跑线，应迎难而上实现技术创新，驱动行业加快速度进行发展。（校对/萨米）

  集微网消息，1月19日，爱集微从深圳市创芯微微电子有限公司（以下简称“创芯微”）处了解到，该公司已于2021年底完成数千万元的第一轮融资。本轮融资由深圳市创新投资集团有限公司、上市公司新洁能董事长朱袁正以及知名投资人顾成标联合领投。

  创芯微表示，本轮融资获得的资金将用于电池管理芯片（BMS）和电源管理芯片（PMIC）的持续研发投入，强化创芯微微电子在智能手机、TWS耳机、可穿戴产品、电动工具领域的市场地位，同时给新品的开发提供支撑，向客户提供从AC输入、DC降压、电池充电管理、电池保护到电量管理的全套芯片和解决方案。

  资料显示，创芯微成立于2017年5月，是一家专注于高精度、低功耗电池管理及高效率、高密度电源管理芯片研发和销售的集成电路设计企业，总部在深圳市龙岗区宝龙科技城智慧家园，在珠海和西安设有研发中心，在上海设有分公司。

  其创始团队来自全球知名IC设计公司，核心团队拥有超过15年以上电池管理芯片（BMS）和电源管理芯片（PMIC）设计、研发和生产测试经验。

  自成立以来，创芯微持续创新、不断突破国际壁垒，并成功实现了多项行业“第一”，技术实力也快速跻身行业领先水平，成为电池管理芯片和电源管理芯片国产替代的领军企业之一：

  2017年11月，创芯微推出了首款自研产品——CM1002/06系列单节电池保护IC，该产品在同种类型的产品中，开创性采用180nm制程工艺；

  2018年1月：推出国内工具出货量领先的CM1031/41/51系列3~5串保护芯片；

  2018年3月：推出业界首创的简洁3串保护IC——CM1033系列，创芯微凭此产品真正打开了多节电池保护IC市场，并深受市场青睐；

  2018年10月：推出业界首款单芯片7串次级保护IC——CM1261/70系列，功耗表现行业领先；

  2019年5月：推出行业领先的小面积、超高的性价比12W以内ACDC芯片——CM170X/160X系列；

  2019年8月：推出国内首款高端单节保护IC——CM1003/1112系列，性能优于日系同类产品；

  2020年4月：推出应用于高端智能手机的带检流电阻的超高精度单节电池保护IC——CM1004系列；

  2020年8月：二合一电池保护IC——CM1123/24系列研发成功，其高精度、低功耗表现也处于行业领先水平。

  2021年7月19日，创芯微获评国家级专精特新“小巨人”企业。创芯微创始人兼总经理杨小华认为，技术持续创新及拥有完整的电池管理产品线是创芯微获评国家专精特新“小巨人”企业的重要原因。

  市场开拓方面，创芯微电池管理芯片以高精度、低功耗、高可靠性等优异表现为业内所熟知，已成功导入OPPO、VIVO、小米、哈曼、莱克、科沃斯、Anker、格力博等多家国内外一流客户并大批量使用，产品已大范围的应用于手机、平板电脑、笔记本、可穿戴设备、TWS耳机、电动工具、手持式吸尘器、扫地机器人、筋膜枪、平衡车、电瓶车、小功率储能等众多领域，成为业界标杆产品，为客户提供安全、稳定、可靠的高性价比电池管理解决方案。

  “近年来，我们在新品的研发方面持续创新，不断获得国内外顶级客户的支持，同时与客户一起提前规划下一代产品和技术的研发，全力实现用户需求。”杨小华表示，“我们的发展速度已经超越了欧美日等国际企业，预计未来3年，创芯微将在很多领域达到行业领先，并从国内第一梯队跻身全球第一梯队。”

  3、【集微发布】全球半导体上市公司CEO薪酬榜：美国CEO平均薪酬是中国大陆的23.3倍

  集微网报道，CEO作为一个企业的掌门人，对公司的影响至关重要。爱集微聚焦全球半导体产业，发布《全球半导体上市公司CEO薪酬榜》。

  另外，芯片制造巨头台积电CEO魏哲家以9808.65万元薪酬排在第11位。

  本榜单中任职于中国大陆公司的CEO中，澜起科技杨崇和以859.62万元薪酬排名第一，位于榜单第51位。中国大陆公司CEO排在前三的还有长电科技郑力830.32万元和中芯国际周子学693.3万元，分列榜单第52位和53位。

  本榜单统计的100家公司中，有38家中国大陆公司，34家美国公司，中国台湾有12家，日韩地区有8家，欧洲地区有8家。

  需要关注的是，中国大陆CEO平均薪酬最低，为278万元；美国CEO平均薪酬最高，为6457万元，达中国大陆的23.3倍；中国台湾、日韩地区和欧洲地区的平均薪酬分别为中国大陆的8.7倍、2.8倍和14.6倍。

  值得一提的是，全球各地的CEO平均薪酬与公司的营业收入、市值基本呈正相关，但是薪酬的比率明显高于营业收入和市值的比率 （日韩地区薪酬、营收、市值比率基本相当）。

  1、本榜单中100家公司为爱集微此前发布的《全球半导体公司市值排行榜top100》公司

  7、部分公司未披露CEO个人薪酬，仅披露了管理层总薪酬，故用管理层平均薪酬替代，CEO实际薪酬大约比平均薪酬高2~5倍以上，该部分企业主要位于中国台湾及日本地区

  集微网消息，“现在就为不可避免的衰退准备好吧。”分析公司未来视界（Future Horizons）首席执行官、知名分析师Malcolm Penn近日在线上会议上预测，芯片市场正处于一个转折点，可能在2022年第四季度崩溃，或将被季节性低迷所掩盖。

  据eeNews报道，Penn预测2022年全年芯片市场增长率为10%，略低于IC Insights预测的10.8%，但高于2021年秋季全球半导体贸易统计组织预测的8.8%。Penn警告称，在美国、日本、欧洲等地建设产能的计划，可能会集中在成熟工艺上，在2023年和2024年，甚至更长远的未来造成产能过剩。

  据Penn观察，2021年下半年前道资本支出占销售额的比例较长期中等水准高了75%，随着需求回落，这可能会引起产能过剩。据其分析，目前的需求包括重复下单（double-ordering）和因平均售价上涨而膨胀的市场。当公司开始消耗库存时，订单将枯竭，ASP将下降。

  Penn指出，领先的代工厂台积电的大本营仍将是中国台湾，其只在海外安装一旦投产就落后于先进工艺的产能。他认为台积电是芯片市场的典范，但其他公司正在大举进入这一个市场，这一些企业可能不会那么成功。与此同时，中国大陆也正在建设自己的产能，以减少芯片进口。

  Penn表示，台积电与众不同的一点是，其不再建造投机性产能，在很大程度上是根据预先分配的需求，甚至是已经付费的需求来做建设。“台积电目前正在中国台湾兴建两座3nm晶圆厂，一个是为了苹果，一个是为了英特尔，在岸（on-shore）产能将为 N-2，”他指出了先进工艺背后的几个制造节点。“在岸生产是危机后复苏的最大风险。他们将在明天生产昨天的产品。”

  Penn估计，市场上升态势可能会持续到2022年的前三个季度，并带来全年10%的市场增长，创造一个价值6090亿美元的半导体市场。如果有幸将这个态势延续到2023年，2022年的年增长率将达到14%。但如果市场转变来得早，2022年的增长率可能会低至4%。

  “如果市场增长出现负增长，不要惊讶。在周期中，这样的一种情况常常会出现。芯片行业的第十七次衰退马上就要来临。芯片市场不是由5G、AI或其他性感的东西驱动的。它是由周期驱动的。而周期是由供需不匹配造成的。需求是短期的，而且会迅速变化。供应变化非常缓慢，需要18个月到两年的时间。”

  不过，Penn确实发现了一个具有乐观前景的市场。EDA正受益于越来越多具有整合供应链能力并决心开发自己芯片的公司。“向OEM直接业务模式的全面转变正在促进EDA的增长。”根据行业机构Electronic System Design Alliance的数据，该市场在2021年第三季度增长了17%。Penn认为，“所有这一些企业：谷歌、Facebook、亚马逊、特斯拉都可能保持这种势头。”

  1月20日，5G发展迎来又一里程碑——工信部宣布，截至2021年年底，中国5G手机终端连接数达5.18亿户。这相当于自5G牌照发放之日起，平均每天新增入网手机达54万部之多。

  在网络部署方面，截至2021年12月，中国已建成开通5G基站142.5万座，2022年年底预计将超200万。5G已成为有史以来部署速度最快的一代蜂窝网络技术。

  凭借坚实的网络部署和强大完善的生态系统，中国向世界展示出5G的巨大能量和潜力，5G为数字化转型提供了重要的支撑能力。与此同时，中国手机品牌在5G时代也展现出强大实力，已跻身全球5G商用终端第一阵营，成为闪亮的中国“新名片”。

  机遇留给有准备的人，每一代无线通信技术的更迭，意味着全新的发展机遇和产业格局的变化。早在中国5G牌照正式发放一年半之前，众多中国厂商与高通公司共同启动了“5G领航计划”，携手推进5G的全球商用进程。统计显示，自该计划启动以来，中国前五大智能手机生产厂商的全球出货量增长超三成，中国手机品牌知名度和美誉度得到进一步提升。

  2022年，高通将继续通过线G解决方案和全面丰富的产品组合，助力中国手机生产厂商把握全球市场的新机遇。2021年12月初，高通发布新新一代骁龙8移动平台，再度为下一代旗舰移动终端树立新标杆，并为智能手机带来前所未有的连接、影像、AI、游戏、音频和安全体验。

  平台发布一个月左右，小米、realme、iQOO、荣耀、一加等多个品牌陆续推出数款旗舰新机，从快如闪电的5G连接、令人惊叹的专业移动影像，到无与伦比的端游级游戏体验，搭载新新一代骁龙8移动平台的旗舰手机将为全球用户所带来顶级移动体验。

  以影像为例，骁龙8支持Snapdragon Sight骁龙影像技术，包含首个面向移动电子设备的商用18-bit三ISP，能够以每秒32亿像素的惊人速度，捕捉达前代平台4000多倍动态范围的影像数据，并率先在移动终端引入8K HDR视频拍摄。此外，通过对硬件架构的改进以及软件的优化，骁龙8支持的第7代高通AI引擎性能提升至前代平台的4倍。无论是AI增强的安全特性，还是配合ISP实现的更出色的影像特性，高通AI引擎都能为用户更好的提供更加完美、流畅和直观的体验。

  根据《“十四五”国家信息化规划》，5G用户普及率预计将在2025年达到56%；新的一年，中国手机行业的发展更加值得期待，5G相关应用也将在深度和广度上逐步发展。能预见，依托新新一代骁龙8移动平台，智能手机将在2022年迈入顶级移动技术新时代；在全行业的携手努力下，整个无线通信和智能终端产业也将迎来有史以来最大发展机遇。

  集微网消息，1月20日，在2021年工业和信息化发展状况新闻发布会上，工业与信息化部总工程师、新闻发言人田玉龙出席发布会，介绍2021年工业和信息化发展状况。田玉龙表示，我国信息通信业在2021年实现新跨越，累计建成开通5G基站达到142.5万个。

  田玉龙称，工信部进一步发挥新一代信息技术的赋能作用，持续完善和建设新型基础设施，大力培育新业态新应用，不断的提高支撑经济社会数字化转型的能力。主要有以下四个方面的特点：

  1.发展速度持续加快。去年全年电信业务收入同比增长了8%，软件和信息技术服务业收入同比增长17.7%，“双千兆”网络设施建设加快，千兆光网覆盖3亿户家庭，累计建成开通5G基站达到142.5万个，全国51.2万个行政村全面实现“村村通宽带”，这都是历史性的。贫穷的地方通信难的问题得到了历史性解决，这在国际上也是成效显著的。

  2.行业监管创新拓展取得了实效。互联网行业专项整治、APP侵害用户权益专项整治、互联网应用适老化改造等一些专项工程取得了较大进展。

  3.网络和数据的安全基础工作不断夯实。防范治理电信网络诈骗、个人隐私信息保护、数据安全管理扎实推进。

  4.积极参加和保障国家重大活动。去年我们圆满完成了建党100周年系列庆祝活动通信和网络安全保障任务，目前在全力以赴地保障冬奥会、冬残奥会的通信和网络安全工作。两地三赛区所有的场馆目前已经实现了5G的全覆盖，为赛事云转播、智慧冬奥提供了有力支撑和保障。

  同日，工业与信息化部新闻发言人、信息通信管理局局长赵志国还表示，2021年，工业与信息化部认真落实党中央、国务院决策，汇聚产业各方力量，扎实推动5G创新发展，取得了积极的成效。其中，全年我国5G手机的出货量达到了2.66亿部，同比增长了63.5%，呈现出了稳步增长的态势。

  集微网消息，1月20日，在国新办举行的“2021年工业和信息化发展状况新闻发布会”上，工业与信息化部新闻发言人、信息通信管理局局长赵志国表示，2021年，工业与信息化部认真落实党中央、国务院决策，汇聚产业各方力量，扎实推动5G创新发展，取得了积极的成效。

  一是政策引领慢慢地增加。工业与信息化部联合9个部门，印发了《5G应用“扬帆”行动计划（2021—2023年）》，统筹推进5G融合应用，培育壮大经济社会持续健康发展新动能。联合卫健委开展“5G+医疗健康试点”，丰富5G技术在医疗健康行业的应用场景，培育智慧医疗健康发展标杆。会同教育部开展“5G+智慧教育”的应用试点工作，推动5G技术赋能教育高质量发展。

  二是网络建设稳步推进。建成全球顶级规模、技术最先进的5G网络，截至去年底，全国的5G基站数超过了140万，其建共享的5G基站也超过了80万个，5G网络已覆盖全部的地级市，超过98%的县城城区和80%的乡镇镇区，网络覆盖广度和深度，通过去年一年不断在提升。全年我国5G手机的出货量也达到了2.66亿部，同比增长了63.5%，呈现出了稳步增长的态势。

  三是应用创新量质齐升。举办了第四届“绽放杯”5G应用征集大赛，征集到了近7千家参赛单位超过1.2万个项目，参赛项目的数量和质量再创新高。5G+4K/8K超高清视频、5G+AR/VR等相关应用，去年在建党100周年的文艺演出、赛事直播、居住服务、购物等多个场景应用，给消费的人带来了全新的体验。工业、文旅、能源、交通等领域的5G应用也在逐步拓展，以“5G+工业互联网”为例，远程设备操控、机器视觉质检、生产效能管控等典型的应用场景，已经在采矿、港口、钢铁、电力、石化化工等重点行业领域深度应用，助力企业提质、降本、增效、绿色、安全发展，成效也比较显著。

  集微网报道 近日，中兴终端公布2021年全年业绩，以及旗下中兴、努比亚、红魔三大消费电子品牌定位和全新规划。

  2021年，中兴终端业务全年出货量超1亿部，其中50%采用自研芯片。此外，中兴方面宣布，努比亚、红魔最新旗舰产品将于2月正式发布。

  中兴终端业务由旗下中兴、努比亚、红魔三大品牌构成。据中兴方面介绍，2021年，中兴终端业务全年出货量超1亿部，其中50%采用自研芯片，整体出货量同比增长60%，其中国内市场同比增长150%，国际市场增幅50%。

  此外，中兴在CPE市场占有率位居全球第一，成为CPE市场领域第一品牌。家庭终端产品去年实现爆发式增长，发货量同比增长52%，累计发货达5.8亿台。

  在手机产品商用创新方面，中兴通讯2021年再次首发400PPI屏下摄像技术、首次推出多主摄计算摄影技术、率先将165Hz电竞屏引入手机等，由中兴、努比亚、红魔引领的一个又一个硬核创新技术带动行业新的浪潮，推动手机产品体验迈向更高的台阶。

  在获得市场和产品正向驱动的同时，中兴终端也在不断发力全渠道建设，截止2021年底已拥有接近7000个零售阵地。规模拓展的同时，中兴终端也更看重精细化运营，以数字化系统推动终端渠道全面赋能。2022年，中兴终端的零售渠道规模将进一步拓展，并构建起多层次、全覆盖的销售体系。

  智能手机领域是当前最引人注目的科技竞技场之一，中兴始终勇于探索艰深科技，近年来在前沿技术上不断取得突破，屏下摄像技术让100%全面屏走进现实，计算影像技术开启多主摄移动影像新纪元，垂直深耕游戏手机从始至终保持领先行业一代。

  未来，中兴、努比亚、红魔三大品牌将分别在各细致划分领域持续发力：中兴品牌的定位为兼具创新力和行动力的“创行者”，旗舰系列聚焦商务人群，让科技领先赋能品质，释放国货新力量；努比亚面向年轻消费者，塑造有个性的时尚品牌；红魔则主攻电竞细致划分领域，强化硬核、热血、潮酷的品牌标签。

  努比亚拥有深厚的专业摄影基因，作为手机摄影的引领者，曾首创焦测光分离、多重曝光、独立白平衡、电子光圈、手持防抖等专业摄影功能，开创了手机计算摄影的先河。8年前，拍摄的作品《瞬间·永恒》，作为人类历史上首次使用电子设备成功拍摄银河的作品，被北京天文馆永久馆藏。

  2022年，努比亚Z40 Pro将持续在影像上秉承极客精神，手机行业第一家定制影像光学，重新定义手机影像。首款定制35mm等效焦距人文主摄；全球首发联合定制索尼IMX787传感器，拥有单反级光学虚化，带来更高清晰、更低畸变的画质提升；计算摄影再升级，更快、更稳的自适应快门影追算法，呈现“闪电抓拍”极致影像能力，助力用户抓住每一个决定性瞬间。不止于此，这部“拍星星”的手机星空影像将再次升级，将会是史上最强Z系列旗舰。

  自开创游戏手机细分品类以来，红魔就将“打造专业游戏装备品牌”作为使命，凭借行业顶级的高刷、高性能、强散热等核心专利技术积累了大批硬核玩家，甚至成为了游戏主播的必备用机。电竞游戏产业正如火如荼，电竞正式入亚运会项目对电竞行业发展具备极其重大推动意义，2022年红魔乘胜追击推出更丰富的如电竞显示器、电竞路由器、游戏键鼠，专业VR等游戏装备品类。同时红魔凭借新媒体影像有着多年深厚的积累，已提前布局元宇宙，现正向元宇宙有关技术的延伸和迁移。未来红魔将继续扩容，不仅持续加强游戏终端产品、战队合作、外设开发等方向的深入打造，还在整体游戏生态建设和发展上更加专注，打造属于红魔的元宇宙！

  今年2月，红魔将举办红魔新品发布会，与努比亚整装待发向新的“无人区”挺进，这次产品更新与以往相比将有更大突破，将是中兴在智能手机领域角力中的又一次里程碑，也是践行“大国科技”品牌价值的一大步。

  因为勇者无畏，所以勇者无敌。中兴手机携手吴京，向这个时代的勇敢者致敬，致力开创科技“大有可为”的新时代。中兴面对未来产业和生活方式的革新升级，将全面聚焦5G，构建“1+2+N”生态体系，带给用户全场景的5G智能体验。

  集微网消息，半导体制造工艺不断演进，对ATE测试机的要求也慢慢变得高。如果将1990年至2025年分为三个时代，每个时代中半导体芯片对ATE测试机的需求都有所不同。

  近日，半导体测试厂商泰瑞达（TERADYNE）中国区销售副总经理黄飞鸿向集微网表示，在1990-2000年间，半导体主流工艺为350nm和130nm，当时SoC芯片功能越来越强，芯片上还集成了模拟功能，数据接口的传输率也在不断增加，而原始的ATE测试技术无法覆盖模拟和高速接口测试的需求，因此这个年代可以称之为“功能时代”，ATE测试机的设计研发需要满足当时功能日趋复杂的SoC芯片需求。

  而在2000年-2015年间，黄飞鸿认为这是一个“资本效率时代”，随着半导体工艺从130nm不断下探至14nm，芯片尺寸越来越小，晶体管集成度慢慢的升高，带来的挑战主要是测试时间非常长。功能时代的单工位测试已经没办法满足现有需求，且测试成本也日益攀升。因此，ATE测试机的研发需要满足同测需求，同时做2工位、4工位、8工位的测试。

  到2020年以后，半导体工艺进入到5nm、3nm及以下节点，黄飞鸿表示这对ATE测试机而言是一个“复杂性时代”，这个时代的消费类芯片生命周期普遍为2-3年，甚至有些AI芯片和AP芯片是逐年迭代，因此就需要ATE测试机面临着不相同的领域、不一样的要求的复杂性调整。

  综合来看，半导体工艺下探对ATE测试带来的挑战大多数来源于测试时间和wafer良率。黄飞鸿告诉集微网，测试时间的延长意味着测试成本的增加。而随着芯片越来越复杂，wafer的初次良率不断下降，失效的概率也在增加，因此就需要测试更加准确。

  面对不同程度的复杂挑战，泰瑞达推出了J750、UltraFLEX、UltraFLEXplus三大测试平台，以及统一兼容的软件平台IG-XL。另外，还有专门针对功率半导体芯片的Eagle测试平台。

  据黄飞鸿介绍，J750主要是针对偏简单的芯片，提供低成本的解决方案。UltraFLEX和新成员UltraFLEXplus则针对相对更复杂的芯片，目前全球已经有近6000套UltraFLEX装机，IG-XL软件平台装机也超过1.2万套。在过去六年中，IG-XL连续被评为全球芯片行业排名第一的软件。黄飞鸿强调， 好的软件开发平台对于测试工程师特别的重要，其可以极大程度提高开发效率。

  具体来看，UltraFLEX最小头是HD-12，这代表里面一共有12个插槽可拿来插数字板卡，再往上是24个插槽，36个插槽。黄飞鸿指出，原来一块数字板卡是256根数字通道，现在做到512根数字通道，这也是业界密度最高的板卡。从Q6到Q12到Q24，其实是按照每个客户不同的需求可以灵活地选择从小到大的配置，满足多种芯片多工位的测试需求。

  UltraFLEXplus新一代平台结构紧密相连，跟上一代UltraFLEX相比，集成度更好，且是全水冷系统。黄飞鸿指出，在UltraFLEXplus全新平台上，芯片测试接口板设计做了完全革命性的改进，采用Broadside技术，使接口板的应用区域更大，同时使接口板PCB层数做得更少。

  UltraFLEXplus还有最重要的四大优势，一是使用统一IG-XL软件，二是使用PACE架构，分布式计算控制，算力下放，带来更高的处理效率。三是Broadside设计，除了接口板更大以外，所有排布都能轻松实现完全的对称。四是从上一代板卡到新一代板卡，无论是数据率，测量精准度，各方面指标都有极大的提升。

  黄飞鸿透露，目前UltraFLEXplus的全球装机量也已经接近600台，短短一年半左右时间，这个新的平台也获得了主要客户的认可。

  近期，锐颖“燎原”系列新产品上市后广受市场欢迎，该系列新产品均搭载瓴盛科技强大内芯——AIoT芯片平台JA308，超凡四联款“兄弟连”具备超强设计和功能，均已实现大批量稳定出货！

  锐颖5寸人脸识别终端STD-5MK052L1-BW基于JA308支持双目检测的方案优势，同时配备200万双目摄像头，支持活体检测、最快0.08S极速人脸识别、高精准人脸识别等功能。在带来更专业、安全的使用者真实的体验之外，该设备在智能化、拓展性和易用性等方面也有出色表现。其它特性包括：支持最大人脸识别模式，支持人脸优选、人脸增强与人脸曝光，提高成像质量；

  ·200 万双目摄像头，支持活体检测功能，有效解决照片、视频等方式欺骗问题；

  ·标配3万张人脸库、3万张卡库、15万条记录存储、支持数据批量导入导出；

  人脸识别终端在实际应用在往往还面临着复杂的使用环境，随之而来的复杂环境光源对于设备的识别提出了更加高的要求。在JA308专业级别监控ISP和高达2Tops AI算力的加持下，锐颖7寸和8寸双目人脸识别终端具备超强的宽动态，无畏强光、逆光和弱光，适应各复杂光场景。除了具备5寸识别终端的全部功能外，七寸和八寸终端更具备：支持访客设置、门禁时段管理、权限组设置、开门延时时间设置、日志查询；

  ·工业级设计，IP67 防护等级、 IK08 防暴等级、全户外运行无忧；

  STD-5MD102L1-BC是此次锐颖科技四款人脸识别终端新品中的“集大成者”——它尺寸大，10寸1280*800分辨率IPS全面屏搭配450cd/m2的高亮度，赋予其更出色的视觉体验；适应范围广，拥有工业级设计IP67防护等级，适应温差范围-30℃～70℃，可应用在室内外全天候场景。其它特性包括：支持屏幕自动休眠，自动感应人体，快速打开补光；

  ·金属结构机身、采用独特双玻璃结构、硬度强不变形，透光性好且不漏光，呈现卓越的视频效果；

  办公区域、酒店、通道闸机、银行、医院、学校、商场……，人脸识别终端正服务在我们生活的方方面面。锐颖科技的超凡四连款从尺寸、功能和性能多重维度进行精细打造，为上述应用场景需求来做了最佳匹配差异化设计。优秀的人脸识别终端离不开一颗低功耗、高性能的智能视觉应用处理器，JA308集双路通道专业级别监控ISP、高达2Tops的独立NPU、高效能四核CPU于一身，目前已经大范围的应用在包括AI智能摄像头、扫地机器人、智能门禁等AI智能硬件，为AIoT领域众多细分应用场景的落地提供强力支持。